IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见;
IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
生产制造流程:
丝网印刷→自动贴片→真空回流焊接→超声波清洗→缺陷检测(X光)→自动引线键合→激光打标→壳体塑封→壳体灌胶与固化→端子成形→功能测试
IGBT作为重要的电力电子的核心器件,其可靠性是决定整个装置安全运行的最重要因素。由于IGBT采取了叠层封装技术,该技术不但提高了封装密度,同时也缩短了芯片之间导线的互连长度,从而提高了器件的运行速率。但也正因为采用了此结构,IGBT的可靠性受到了严重挑战。由于IGBT主要是用来实现电流的切换,会产生较大的功率损耗,因此散热是影响其可靠性的重要因素。
IGBT模块封装级的失效主要发生在结合线的连接处,芯片焊接处和基片焊接处等位置。尤其两个焊接处,是IGBT主要的热量传输通道,焊接处的焊接质量是影响其可靠性因素的重中之重。
研究表明,焊料层内的空洞会影响温度热循环,器件的散热性能降低,这也会促进温度的上升,影响期间在工作过程中的热循环,造成局部温度过高,从而加快模块的损坏。有调查表明,工作温度每上升10℃,由温度引起的失效率增加一倍。并且,应力与应变之间存在着滞回现象,在不断地温度循环当中,材料的形状实时地发生改变,这又增加了焊料层的热疲劳。因此对于IBGT封装来说,最重要的就是要降低焊料层内的空洞。
焊接层空洞的产生,主要是由于焊接材料中的挥发物留着焊接层中造成,而IGBT的芯片通常都比较大,长会达到10mm-20mm,并且DBC的尺寸通常在20mm-40mm,如此大的焊接面积,给焊接材料中的挥发物挥发造成很大困难。因此IBGT焊接层的空洞成为人们极力解决的问题。而对于IGBT高可靠性的要求,空洞率必然是封装环节的一个重要控制因素。通常小家电、普通电气装备用的IGBT要求空洞率<5%,对于轨道交通、航空航天 等领域,空洞率要求更加苛刻,甚至需要达到0.1%以下。
空洞率不合格(大于30%)空洞率合格(小于5%)
一)焊接材料形式:
1、焊片:是当前IBGT领域使用最为广泛的焊料
优点:有机组份使用量少,空洞低。
缺点:操作不方便;每种产品需要特定尺寸的焊片。
2、锡膏:使用锡膏是近几年IGBT封装领域逐渐兴起的工艺
优点:操作方便,成本低,适用各种规格产品的焊接。
缺点:大量有机组分挥发容易造成空洞;必须清洗掉残留物。
使用锡膏焊接,为了促进锡膏内挥发物的挥发,通常会将锡膏印刷成若干矩形的阵列,尤其印刷在基板与DBC之间的锡膏,锡膏之间的通道会方便挥发物的排出。但这要求锡膏的挥发性和润湿性与工艺有很好的匹配,否则在沟槽处很容易产生空洞。
二)焊接工艺
一次封装:DBC/基板和DBC/芯片同时放置焊料,一次过炉实现同时焊接。
优点:效率高;
缺点:两层焊料同时熔化,陶瓷片在上下两层熔融焊料间浮动,增加空洞排出的难度。
阶梯封装:先将DBC/基板之间使用高熔点焊料进行焊接,然后DBC/芯片之间使用低熔点焊料二次焊接(二次焊接时,一次焊接的焊料不熔化)。
优点:避免DBC在熔融焊料间浮动,空洞率较低;缺点:生产效率低。
三)焊接炉的选择
对于要求高的IGBT产品须使用真空炉焊接,真空负压有利于锡膏中挥发物的排出。但真空度和真空时机应与锡膏匹配,否则不易达到理想的效果。
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