在摩尔定律逐渐逼近物理极限的今天，半导体行业正通过“超越摩尔”（More than Moore）的路径寻求突破。晶圆级封装（WLP）作为此路径上的关键技术，正在重塑芯片的形态与未来。它将封装与测试的环节前置到晶圆切割之前，使得最终的封装体尺寸几乎与芯片裸片等同，从而在智能手机、可穿戴设备、高性能AI计算卡等对空间极度敏感的应用中，成为实现极致微型化与高功能密度的核心引擎。
然而，这场微型化革命并非没有代价。随着扇出型（Fan-Out）等先进WLP技术向多芯片、高密度互连演进，封装过程中产生的微米乃至纳米级气泡，已经从可容忍的工艺瑕疵，演变为决定产品良率与可靠性的致命缺陷。这些隐藏在重布线层下、填充材料中或芯片界面处的微小气泡，如同精密机械中的沙砾，会引发界面分层、增加互联电阻、形成局部热点，最终导致信号失真、性能衰减乃至芯片早期失效。特别是在追求高算力与高带宽的AI和HBM（高带宽内存）芯片中，气泡问题已成为通往高性能之路必须扫清的关键障碍。
一、气泡问题的根源与系统性挑战
气泡的产生，是材料科学、流体力学与工艺控制复杂交织的挑战。在TSV（硅通孔）金属填覆、RDL（重布线层）介电层涂布、以及芯片塑封（Molding）等关键制程中，胶体、液态化合物或薄膜材料在流动、填充与固化时，极易因表面张力、流道设计或工艺参数波动而裹挟空气，形成难以消除的孔隙。
传统的解决方案，如热压或滚轮贴膜，往往治标不治本。它们可能在宏观上消除气泡，却难以应对WLP中日益常见的高深宽比（>1:10）微结构。例如，在深而窄的TSV孔内，或密集的微凸点（Micro-bump）阵列之间，传统方法的物理作用力难以均匀渗透，容易在结构底部或角落遗留“气阱”。这些残留气泡在后续的热循环和应力作用下，会成为裂纹萌生与扩展的起点，从而阻碍电流传导、形成局部热点，导致芯片性能衰减。
二、创新解决方案：真空贴压膜与多领域除泡系统
面对这一行业共性挑战，屹立芯创依托自主研发的晶圆级真空贴压膜系统与多领域除泡系统，构建起覆盖全流程的除泡工艺解决方案。
WVLA系统采用真空下贴压膜与弹性气囊震荡式压合专利技术，取代传统滚轮贴膜方式，从源头上避免预贴膜因表面张力不均产生的气泡。该系统兼容8英寸及12英寸晶圆，尤其适用于表面凹凸起伏的晶圆，可实现业内领先的1:20高深宽比填覆效果，广泛应用于TSV填覆、Fan-Out光阻膜贴合等工艺。
对于更复杂的除泡需求，屹立芯创的De-Void系统通过“真空-压力-温度”三参数动态联动技术，分阶段消除气泡：首先通过高真空环境使气泡体积膨胀并脱离界面，再施加静高压促进胶体二次流动，最终通过多轮循环彻底清除边缘气阱。
随着半导体封装向更大尺寸晶圆、硅光子集成、以及基于玻璃基板的新一代互连技术演进，对界面质量和无缺陷填充的要求将愈发严苛。除泡工艺，这一曾经的后道辅助环节，已毋庸置疑地成为先进封装可靠性工程的基石。
屹立芯创通过深度融合真空、压力、热流控制等物理原理与材料科学及智能化技术，不仅精准破解当前WLP生产中的工艺痛点，更以前瞻性的研发布局，为行业迎接下一代封装革命储备关键工艺能力。在芯片功能持续强化、体积不断缩小的产业大势下，对微观缺陷的“零容忍”追求，正是支撑半导体产业持续向上突破的隐形力量。屹立芯创，正以扎实的技术创新与可靠的解决方案，成为这股力量中坚实的一环。
