扇入式封装（Fan-In WLP/WLCSP）：完全遵循晶圆级封装的基础工艺流程，封装作业完成时，芯片与封装体面积尺寸比例为1：1，适用于低I/O数量以及芯片尺寸本身较小的工艺。

扇出式封装（Fan-Out WLP/FOWLP）：由于该类封装需通过RDL的方式将部分Bump引脚拓展至芯片外围，故需要先对晶圆进行划片分割，将独立裸Die重新布局至新的晶圆内（重构晶圆），由Molding工艺形成新的封装体，再通过重新布线及Bumping工艺，实现引脚外延以达到容纳更多I/O的目的。

除此之外，在FOWLP基础之上，又衍生了多种集成度更高的封装技术，如InFO (Integrated Fan-out）、FOPLP（Fan-out Panel Level Package）等，此处不做赘述，有兴趣的朋友可以自行查阅相关资料。

下文将以1P1M/Solder bump结构为例，简单说明晶圆级封装的工艺流程。在此之前，先对相关专业术语进行如下说明：

根据已知的1P1M/Solder bump工艺要求，由内向外依次逐层按照工艺流程进行作业：

目的：1. 将掩膜版图形转移至晶圆表面，获得溅射种子层（UBM）所需的CD开口。

2. 生成钝化层(passivation)，作为后续工序的保护膜。

工艺原理：通过在Wafer表面涂覆PSPI后，进行紫外线曝光，在特定光线通过后，胶体特性发生改变，再通过显影-固化工艺，获得所需要的CD开口位置。

特别注意的是，这里使用的PSPI为通常所说的光刻正胶（Positive Photoresist），其特性是经过曝光后，在受到光照的位置特性发生改变，其他位置不受影响，显影操作后，溶解光照位置，在其他位置形成所需图形，从而达到工艺目的。

与之相反，光刻负胶（Negative Photoresist）则是保留光照位置，显影后溶解其他位置，达到工艺目的。

PSPI光刻工艺流程：

PSPI涂覆&烘烤：

●通过光阻喷嘴将光刻胶轻轻涂布在晶圆中心位置后，真空吸盘带动晶圆缓慢转动;

●施胶达到标定胶重后，由转轴带动吸盘逐渐加速，利用离心作用将光刻胶旋涂均匀，直到布满整片晶圆;

●由于离心力的作用，晶圆上残余光刻胶会聚集在晶圆的边缘部分，形成带有一定高度的污染，导致后续工艺难度增加，故需要使用有机溶剂进行晶圆洗边及背洗操作;

●涂布作业完成后，使用真空加热块进行前烘烤以预热光刻胶，去除光刻胶中的水分，并增加与晶圆之间的附着力。

注意：

1. 影响光刻胶厚度的主要因素是转速和光刻胶的黏度，黏度越高，转速越低，光刻胶的厚度就越厚。

2. 文中所列涂覆办法为湿膜光刻胶的作业流程，而实际生产中，除湿膜光刻胶外，干膜光刻胶也拥有广泛的应用场景。干膜光刻胶一般使用方法可采用压膜机一次成型，而且显影流程不需要使用显影液，可大幅度减少处理时间和成本。对于部分设计中含有孔洞的产品来说，干膜光刻胶不会侵入孔洞内部，具有便于清理的好处。但反过来考虑，湿膜光刻机又具有分辨率高，价格成本低廉，显影与刻蚀速度更快等优势。

曝光&显影&固化：

●特定波长紫外光穿过掩膜版及缩图透镜后，照射在晶圆相应位置，根据掩膜版的图形改变晶圆表面部分光刻胶的特性。

●使用显影液溶解对应光刻胶，将掩膜版图形复制至晶圆表面

●PSPI工艺中，显影后需使用多段式时温曲线进行烘烤固化操作去除水汽，并使保留光刻胶与晶圆更好的结合在一起。

工艺原理：根据物理气相沉积原理，通过将高纯度的金属材料置于真空室中，然后使用离子束、电子束或者高能粒子来撞击金属材料表面，使其发生溅射，产生大量微小的金属颗粒，这些颗粒会沉积在晶圆表面上并逐渐形成金属薄膜。

特别注意的是，在执行溅射工艺操作之前，需要先对晶圆进行清洗工作，以去除晶圆表面来料时可能携带的沾污，并消除潜在环境静电风险。清洗后仍需要在氮气环境下进行烘烤，以去除水汽对溅射作业时的影响因素。

溅射工艺：

目的：PR光刻与第一层PI光刻作用类似，在UBM层上方电镀铜层的主要目的是使其作为焊盘的材料，用于连接芯片和外部电路板。该层铜材料通常具有良好的导电性和可靠的焊接特性，能够有效地提高芯片的连接可靠性和耐久性。同时，铜材料还能够提高芯片的散热能力，从而有效地降低芯片的温度和功率消耗。

工艺原理：

●PR光刻：与第一层PI光刻类似，但由于后续工艺为铜层电镀，所以工艺中将正胶替换为负胶，在曝光显影后无需进行固化，而是在电镀后进行去胶操作;

●电镀：在UBM层上方涂覆一层导电漆，通常被称为钎料，用于芯片与外部电路板之间的连接。然后，将晶圆浸入含有铜离子的电解液中，并将钎料作为阴极，使铜离子在钎料表面还原，形成一层均匀的铜层。

PI光刻&电镀：

●完成电镀作业后，显影所预留的用于结构成型的光刻胶仍然处在晶圆表面，故需要使用药液喷淋的方式进行除胶，以去除多余的光刻胶，药液除胶完成后仍需清洗晶圆表面，以彻底清除残余胶丝、沾污等表面杂质，下图为除胶完成后表面状态。

注意：UBM此时处于完全连接状态，连接电路则必然短路！

●针对电镀后可能会出现的多余UBM，通常需要使用腐蚀工艺去除。去除方法通常是使用化学溶液，将多余的UBM材料溶解掉，以保证焊盘的形状和尺寸符合要求，达到工艺目的，下图为腐蚀完成后表面状态：

目的：在焊盘处焊接solder Bump或铜柱Bump，用来做后续Flip Chip工艺连接基板电路的焊点。

工艺原理：在焊盘位置涂覆助焊剂，在其对应位置放置锡球，利用Reflow将锡球焊接至焊盘位置。

目的：按照具体产品的工艺要求，将晶圆磨划至需求厚度，然后将处理完成的晶圆经过切割，分离成单独的成品芯片。

减薄工艺原理（工艺流程）：

1. 正面贴膜，保护晶圆正面在减薄过程中不被损伤;

2. 背面磨片，根据工序需求，使用对应参数的磨轮进行背面研磨及抛光（部分产品无需抛光）;

3. 解UV及撕膜，对晶圆正面进行UV照射后，撕去正面保护膜。

划片工艺原理（工艺流程）：

1. 背面贴膜，保证划片过程稳定，划片后芯片不会散落;

2. 保护液涂布，保护晶圆正面在切割过程中不被损伤;

3. 激光开槽，将划道金属层切割分离;

4. 水清洗，清洗涂布在晶圆正面的保护液及过程沾污杂质;

5. 切割划片，将晶圆沿切割道进行分割，使晶圆分离成为单独的一颗颗芯片。